Samsung knackt 10-nanometer-grenze und revolutioniert dram

Die Erinnerungstechnologie DRAM, um die es in der letzten Zeit viel Ärger gegeben hat, ist mittlerweile ein unverzichtbarer Bestandteil aller Geräte. Doch hinter diesem Drama stand immer die Herausforderung, den 10-Nanometer-Zeitraum zu verlassen, an dem viele glaubten, keine Zellen mehr so klein gebaut werden könnten, ohne zu versagen oder überhitze zu riskieren.

Samsung breitet neue wege

Die Südkoreaner von Samsung haben nun bewiesen, dass es noch nicht an technischen Grenzen angelangt ist. Sie haben die ersten Chips vorgestellt, die unter dieser Grenze produziert werden und eine erhebliche Steigerung in der Speicherdichte erreichen.

Das Geheimnis dieser Leistung liegt in der Architektur, in der Art und Weise, wie der Prozessor innerhalb des Chips aufgebaut ist. Bislang lagen die Transistoren und Condensatoren, die beiden grundlegenden Komponenten, die unsere Daten speichern, nebeneinander. Samsung hat diese Struktur revolutioniert und die Condensatoren jetzt direkt auf den Transistoren abgestellt.

Dieser einfache Wechsel von 6F zu 4F hat erhebliche Auswirkungen: Die Fläche einer Zelle wird um 50 Prozent reduziert. Bisher nahm eine Zelle drei mal zwei (6F) Einheiten groß, jetzt nur noch zwei mal zwei (4F) aus. Diese Kompaktheit hat den Vorteil, dass die Stromzufuhr auf kürzere Wege abgegeben wird, was die Energieeffizienz steigert und den Bedarf an Akku-Power reduziert.

Wenn alles nach Plan verläuft, wird Samsung in Zukunft zwischen 30 bis 50 Prozent mehr Speicherplatz bieten, ohne dass die Größe der Chips größer wird. Dies bedeutet, dass die Herstellungskosten sinken werden. Allerdings sollte man realistisch sein: Diese Technologie wird nicht innerhalb eines Jahres auf den Markt kommen. Es handelt sich um den Anfang einer neuen Entwicklung, die noch viel Wachstum und Verbesserung benötigt, bevor sie Millionen von Menschen erreicht.